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上海祥樹，只做歐洲原裝進口。1流的報價速度+優惠的價格+100%原裝進口）我司業供應歐洲工控產品、儀器儀表及備品備件，歡迎來電咨詢。
更新時間:2024-12-26
hcdjc系列電壓擊穿測試儀采用計算機控制，通過人機對話方式，完成對絕緣介質的工頻電壓擊穿，工頻耐壓試驗。電壓擊穿試驗儀主要適用于固體絕緣材料如絕緣漆、樹脂和膠、浸漬纖維制品、云母及其制品、塑料、薄膜復合制品、陶瓷和玻璃等介質在工頻電壓或直流電壓下擊穿強度和耐電壓時間的測試；電壓擊穿試驗儀采用計算機控制，可對試驗過程中的各種數據進行快速、準確的采集、處理，并可存取、顯示、打印。
更新時間:2024-12-08
hcjh-10kv高壓化裝置針對不同樣品和不同電壓，實現多樣品同時化，同時生成化曲線，可快速判斷佳化電場、溫度和時 間，性能更好，操作更加方便。
更新時間:2024-12-08
電荷量表，一、產品概述，4位半huace-111a系列電荷量表結合了華測高靈敏度電壓、電流測量儀器的技術優勢以及更快的速度和更高的耐用性。定制不同規格法拉第筒。
更新時間:2024-12-08
電荷量表huace-111a一、產品概述4位半huace-111a系列電荷量表結合了華測高靈敏度電壓、電流測量儀器的技術優勢以及更快的速度和更高的耐用性。這款經濟型的儀器具有手動電荷量
更新時間:2024-12-08
電荷量表huace-111a一、產品概述4位半huace-111a系列電荷量表結合了華測高靈敏度電壓、電流測量儀器的技術優勢以及更快的速度和更高的耐用性。這款經濟型的儀器具有手動電荷量
更新時間:2024-12-08
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更新時間:2024-12-08
dct2000晶體管直流參數測試系統是由我公司完全自主開發設計的一代“晶體管直流參數測試系統”。軟件及硬件均由團隊自主完成。高壓源標配2000v，高流源標配40a（選配100a,200a,300a,500a）柵極電壓40v，產品可測試si,sic,gan材料的igbts,diodes,mosfets,bjts,scrs等7大類26分類的電子元器件。
更新時間:2024-11-25
是德科技高性能邏輯分析儀提供可靠、精確的測量，以及對系統特性全面的洞察力，幫助您盡可能降低項目風險。這個邏輯分析儀產品系列提供了豐富的測量功能，以及各種探測、應用支持和分析工具，可以滿足用戶苛刻的數字調試需求。
更新時間:2024-08-16
精密型電流－電壓分析儀系列將功能強大的表征軟件與綜合 smu 完美結合，能夠確保準確和高效的電流－電壓測量，為您分析各種應用中的 iv 特征提供清晰的洞察力。
更新時間:2024-08-16
該系列設備是各種烘烤、老化實驗中，常用設備之一，適用于電子儀器儀表、材料、電工、車輛、金屬、電子產品、各種電子元氣件在溫度環境下、檢驗其各性能項指針.及質量管理之用.
更新時間:2024-08-15
用于先進封裝的亞微米3dx射線，ca20旨在以高分辨率提供卓越的2d和3d圖像，它允許對微米細節進行快的檢測，并有助于縮短復雜3d ic的上市時間。
更新時間:2024-08-15
ftpadv是一種經濟高效的臺式光譜反射解決方案，具有快速厚度測量功能。測量時間不到 100 ms，精度低于 0.3 nm，膜厚范圍為 50 nm – 25 μm。包括一系列預定義的配方，便于光譜反射儀操作
更新時間:2024-08-14
rm 1000 和 rm 2000 光譜反射儀可測量表面光滑或粗糙的平面或彎曲樣品的反射率。使用sentech ftpadv expert軟件計算單膜或層疊的厚度、消光系數和折射率。厚度分別為 2 nm 和 50 μm （rm 2000） 或 100 μm （rm 1000） 的單片、層疊和基板可以在 uv-vis-nir 光譜范圍內進行分析。
更新時間:2024-08-14
ftpadv expert薄膜測量軟件具有ftpadv標準軟件中包含的用戶友好和以配方為導向的操作概念。突出顯示擬合參數、測量和計算的反射光譜以及主要結果的光學模型同時顯示在操作屏幕上。
更新時間:2024-08-14
spectraray/4 是 sentech 有的光譜橢圓偏振儀軟件，包括橢圓、反射和透射數據的數據采集、建模、擬合和擴展報告。它支持可變角度、多實驗和組合光度測量。 包括一個基于 sentech 厚度測量和文獻數據的龐大而全面的材料數據庫。大量的色散模型允許對幾乎任何類型的材料進行建模。
更新時間:2024-08-14
sentech sendira 為紅外 （ftir） 而設計。這款緊湊的臺式儀器包括吹掃橢偏儀光學元件、計算機控制的測角儀、水平樣品平臺、自動準直望遠鏡、商用 ftir 和 dtgs 或 mct 檢測器。ftir 在 400 cm-1 至 6,000 cm-1 （1.7 μm – 25 μm） 的光譜范圍內提供出色的精度和高分辨率。
更新時間:2024-08-14
sentech senpro 橢圓偏振光譜儀具有操作簡單、測量速度快、不同入射角橢偏振測量的組合數據分析等特點。它的測量光譜范圍為 370 nm 至 1,050 nm。該工具的光譜范圍與先進的軟件 spectraray/4 相結合，可以輕松確定單片薄膜和復雜層疊的厚度和折射率。
更新時間:2024-08-14
sentech senresearch 4.0 使用快速 ftir 橢圓偏振法分別測量高達 2,500 nm 或 3,500 nm 的近紅外光譜。它提供寬的光譜范圍、佳的信噪比和高的可選光譜分辨率。可以測量厚度達 200 μm 的硅膜。ftir橢圓偏振儀的測量速度與二管陣列配置相比，二管陣列配置也可選擇高達1,700 nm。
更新時間:2024-08-14
sentech senduro®mems 提供配置靈活性，以滿足生產控制和質量控制的要求。該工具可以配置反射法和橢圓偏振法中的μ點測量，以及提供準確測量位置的模式識別。所有測量都可以與邊緣抓取技術相結合。
更新時間:2024-08-14
sentech se 500adv結合了橢圓偏振法和反射法，消除了測量透明薄膜層厚的模糊性。它將可測量的厚度擴展到 25 μm。因此，se 500adv 擴展了標準激光橢偏儀 se 400adv 的功能，特別適用于分析較厚的電介質、有機材料、光刻膠、硅和多晶硅薄膜。
更新時間:2024-08-14
comet yxlon開發了ctscan 3線探測器陣列（lda），以滿足客戶的特殊要求和具有挑戰性的應用。憑借其所未有的信噪比、動態范圍和 254 μm 的像素間距，它是對大型和/或密集組件進行清晰檢測的無可替代的解決方案。它設計用于高達 600 kv 的工作電壓，可減少不必要的散射輻射，并提供低噪聲電子設備和高效閃爍體。
更新時間:2024-08-14
pva tepla 超聲掃描顯微鏡sam premium系列結合了聲學顯微鏡和光學顯微鏡。它使超聲掃描平臺與倒置光學顯微鏡或反射式光學顯微鏡相結合。sam premium系列所使用的技術是以融合了生產和研究技術的核心平臺為基礎。sam premium系列旗下各個系統均具有高產量、高靈活性和寬廣的掃描范圍等特性。此外，各系統還可以根據客戶的要求進行擴展，并用于多樣化的應用。
更新時間:2024-08-13
dsm8/200 gen2測量系統用于研發和大量產的對準測量suss dsm為廣泛的應用和基板提供從正面到反面的測量。測量結果詳細列出了了偏移矢量的各個分量：平移、旋轉和跳動。該系統所需占地面積很小，因此擁有成本低。同時，它為雙面的對準與曝光應用提供了可靠、其精確的測量，這些是mems器件、功率半導體和光電子制造中會經常用到的。
更新時間:2024-08-13
pva tepla sam系列的超聲波掃描顯微鏡使用簡單，操作方便，是一款用于過程控制和質量保證，以及研究應用的無損檢測設備。sam系列旗下各型號均統一由一個符合行業標準的組件平臺衍生而來，在此基礎上，再融入了先進的生產和制造技術。
更新時間:2024-08-13
pva tepla sam 全自動系列的自動超聲波掃描顯微鏡能夠無損檢測空洞、空隙、氣泡、夾雜物和分層，是圓檢測、焊接界面檢查、mems檢測、以及各類電子封裝檢測的理想選擇。該系列配有自動缺陷檢測軟件包，可對各種缺陷類型進行全自動化評估，檢測結果可以以klarf文件和vega map的形式發布，同時支持鏈接gem/secs。根據所需分析樣品，可以選擇不同掃描儀配置，如：4×1、4×2或4×4。
更新時間:2024-08-13
“elionix "系列第五代超顯微壓痕硬度計，在日本制造的納米壓痕測試儀具有友好的 gui，通過抑制測量環境中的干擾實現高數據再現性。
更新時間:2024-08-12
wd4000無圖晶圓幾何形貌量測系統通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，ttv，bow、warp、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷。
更新時間:2024-07-30
wd4000半導體晶圓表面形貌參數測量儀通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，ttv，bow、warp、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷。
更新時間:2024-07-30
wd4000半導體晶圓厚度warp檢測設備自動測量 wafer 厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。使用光譜共焦對射技術測量晶圓 thickness、ttv、ltv、bow、warp、tir、sori 等參數，同時生成 mapping 圖
更新時間:2024-07-30
wd4000晶圓厚度粗糙度微納三維形貌測量儀器通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，ttv，bow、warp、在高效測量測同時防止晶圓產生劃痕缺陷。
更新時間:2024-07-30
中圖儀器wd4000晶圓翹曲度厚度粗糙度表面形貌檢測設備通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建。它采用的高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立3d mapping圖，能實現晶圓厚度、ttv、ltv、bow、warp、tir、sori、等反應表面形貌的參數。
更新時間:2024-07-30
wd4000國產半導體晶圓翹曲度粗糙度表面形貌測量系統兼容不同材質不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數據更準確。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立表面3d層析圖像，實現wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(ttv)及分析反映表面質量的2d、3d參數。
更新時間:2024-07-30
wd4000半導體晶圓粗糙度翹曲度檢測設備集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組，使用一臺機器便可完成厚度、ttv、ltv、bow、warp、粗糙度、及三維形貌的測量。
更新時間:2024-07-30
中圖儀器ns系列沉積薄膜臺階高度測量儀是一款超精密接觸式微觀輪廓測量儀器，其主要用于臺階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數的測量。其采用lvdc電容傳感器，具有的亞埃分辨率和超微測力等特點使得其在薄膜厚度的測量上具有很強的優勢。
更新時間:2024-07-30
中圖儀器wd4000半導體晶圓幾何量測設備可實現砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質晶圓的量測。通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，ttv，bow、warp、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷。
更新時間:2024-07-30
wd4000半導體無圖晶圓幾何形貌檢測機可測各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。自動測量wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。
更新時間:2024-07-30
wd4000半導體晶圓粗糙度表面形貌測量設備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術，可實現wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(ttv)及分析反映表面質量的2d、3d參數。
更新時間:2024-07-30
wd4000半導體晶圓制程檢測設備幾何量測系統通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，ttv，bow、warp、在高效測量測同時防止晶圓產生劃痕缺陷。wd4000兼容不同材質不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數據更準確。
更新時間:2024-07-30
wd4000晶圓厚度翹曲度粗糙度檢測設備廣泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3c電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示面板、mems器件等超精密加工行業。測量各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。
更新時間:2024-07-30
wd4000晶圓厚度表面粗糙度微納三維形貌量測系統通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，ttv，bow、warp、在高效測量測同時防止晶圓產生劃痕缺陷。
更新時間:2024-07-30
wd4000無圖晶圓膜厚檢測設備采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立3d mapping圖，實現晶圓厚度、ttv、ltv、bow、warp、tir、sori、等反應表面形貌的參數。
更新時間:2024-07-30
wd4000晶圓表面三維形貌測量設備提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能；提取包括提取區域和提取剖面等功能。
更新時間:2024-07-30
wd4000晶圓幾何形貌測量及參數自動檢測機采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立3d mapping圖，實現晶圓厚度、ttv、ltv、bow、warp、tir、sori、等反應表面形貌的參數。
更新時間:2024-07-30
wd4000晶圓表面形貌量測設備通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，ttv，bow、warp、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷。
更新時間:2024-07-30
全自動晶圓缺陷檢測設備 能檢測pinhole等多重缺陷。1.晶圓正反表面缺陷2.晶圓內部缺陷3.晶圓邊緣斜面缺陷4.晶圓邊緣頂點缺陷5.晶圓v-notch缺陷6.晶圓形狀缺陷
更新時間:2023-05-22
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