外延系統產品及廠家
gen2000® mbe 系統提供卓越的吞吐量、更長的活動周期、更小的占地面積和集群工具晶圓處理。它是 hbt 和 phemt 等無線通信設備大批量生產以及需要以低擁有成本生產 6 英寸的新興應用的理想選擇。
更新時間:2024-08-14
veeco 的 gen200® mbe 系統是當市場上具成本效益和高容量的多 4 英寸生產 mbe 系統。該系統在用于泵浦激光器、vcsel 和 hbt 等設備的生長中提供卓越的吞吐量、長時間的加工周期和出色的晶圓質量。
更新時間:2024-08-14
gen10™ mbe 系統是成熟平臺中經濟、靈活的簇狀工具系統，允許多達三個可配置的、特定于材料的生長模塊。這使得系統利用率高，允許多個研究人員同時使用該系統，并在無人值守的情況下進行生長和校準。這與 veeco 組件技術相結合，是 mbe 社區選擇 gen10™ mbe 系統的關鍵因素，無論應用是什么。
更新時間:2024-08-14
屢獲殊榮的新型 genxcel™ 系統是在 genxplor 的基礎上進行的擴展，genxplor™ 是自 2013 年 8 月推出以來暢銷的 mbe 系統，與 genxpl
更新時間:2024-08-14
genxplor® r&d mbe系統獲得了化合物半導體制造的csindustry獎，采用veeco成熟的3英寸生長室設計，并具有無與倫比的工藝靈活性，非常適合uv led、高效太陽能電池和高溫超導體等新興技術的材料研究。其高效的單框架設計將所有真空硬件與機載電子設備相結合，使其比其他 mbe 系統小 40%，從而節省寶貴的實驗室空間。
更新時間:2024-08-14
分子束外延薄膜沉積系統mbe 8000旨在滿足對高性能化合物半導體器件日益增長的需求。這種在超高壓環境中使用超純金屬的 8×6ʺ 或 4×8ʺ 固源 mbe 系統在設計、溫度均勻性和通量均勻性方面超出了先進的基本預期。該系統能夠培養 8 個 150 毫米（6 英寸）晶圓或 4 個 200 毫米（8 英寸）晶圓的批次，這些晶圓具有顯著的均勻性（成分、厚度）和非常低的缺陷水平。
更新時間:2024-08-13
產品概述：超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統由真空腔室（外延室、進樣室）、樣品傳遞機構、樣品架、立式旋轉靶臺、基片加熱臺、抽氣系統、真空測量、工作氣路、電控系統、計算機控制等各部分組成。設備用
更新時間:2024-08-13
epiluvac 產品通常作為完整的系統交付，包括反應器模塊、氣體輸送系統、過程控制、安全系統、安裝和調試。每個系統在發貨都經過廣泛的測試，一旦安裝，交付還包括所有必要的客戶操作和維護培訓。
更新時間:2024-08-13
riber分子束外延系統的 multi 4“ / 6” mbe 6000 是全球每個成功的大批量商家或內部 epi 操作的核心。它是高通量和可重復性的mbe基準。活動時間通常超過一年，這證明了反應堆的穩定性和可靠性。沒有比riber的新客戶和長期客戶重復下訂單更有力的認可了。有許多晶圓廠配備了 2 – 8 個 mbe 6000,24 / 7 并排運行。初，系統主要用于制造大量微波器件材料。
更新時間:2024-08-12
自新千年到來之推出以來，compact 21 已成為有史以來成功的商用 3 英寸 mbe 系統。憑借核心 compact 21 dna 在所有配置（iii-v、ii-vi、gp iv、氧化物、金屬、gsmbe）中都很明顯，該多功能系統在從基礎研究到設備開發和優化的每個研究域都得到了卓越的服務。它多可容納 12 個源端口，并且與電子槍兼容。這款整潔而強大的反應器可提供手動或全自動
更新時間:2024-08-09
riber mbe 49 系列全自動生產機器為材料質量、產量、產量以及與操作和維護相關的成本設定了行業標準。超過55個這樣的系統已經在全球范圍內交付，他們為客戶帶來的成功使該系列反應器獲得了廣泛持有和當之無愧的聲譽，因為它使新的化合物半導體器件技術的商業化能夠在其他地方無與倫比的范圍和規模上實現商業化。mbe 49 系列有四個反應器，門設計用于沉積砷化物、磷化物、氮化物和氧化物。
更新時間:2024-08-09
riber 的 mbe 412 正受到越來越多與工業合作伙伴合作開展應用項目的關鍵研究機構的關注。這種興趣的增加部分歸因于 4 英寸（或 3 x 2 英寸）容量在這種類型的戰略合作伙伴關系中受到青
更新時間:2024-08-09
esther/eris 系列 8英寸單片常壓/減壓硅外延系統傳輸系統和工藝模塊設計可兼容多種工藝用途友好的人機交互和安全性設計保障系統穩定、安全、高效具有單腔和多腔兩種機型，可滿足不同客戶需求
更新時間:2024-06-21
hesper ⅱ e630r plus 12英寸減壓選擇性外延系統多區紅外加熱協同激光微區補償，溫場均勻可控
更新時間:2024-06-21
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